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內(nèi)存模塊

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　　內(nèi)存模塊（Memory Module）是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片。

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內(nèi)存模塊簡介

　　但近來系統(tǒng)設(shè)計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC 的主機板上的專用插槽（Slot）上鑲嵌在Module上DRAM芯片（chips）的數(shù)量和個別芯片（chips）的容量，是決定內(nèi)存模塊的設(shè)計的主要因素。

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內(nèi)存模塊知識

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10月15日最新消息，研華科技（Advantech）于昨日正式揭曉了其最新研發(fā)的SQRAM CXL 2.0 Type 3

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2024-09-04 標(biāo)簽：計算機 DDR4 內(nèi)存模塊 1590 0
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2024-09-04 標(biāo)簽：計算機內(nèi)存內(nèi)存模塊 1973 0
美光科技推出多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)

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2024-07-19 標(biāo)簽：美光科技內(nèi)存模塊 871 0
ddr4 3200和3600差別大嗎

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瞬態(tài)熱測試在內(nèi)存模塊熱分析中的應(yīng)用

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2023-07-20 標(biāo)簽：傳感器二極管內(nèi)存模塊 962 0
DDR4與DDR5內(nèi)存模塊的主要區(qū)別

數(shù)據(jù)及其相關(guān)存儲對于所有計算應(yīng)用程序都至關(guān)重要，無論是筆記本電腦、便攜式電腦還是尖端服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心。所有領(lǐng)導(dǎo)智慧城市發(fā)

2023-02-07 標(biāo)簽：連接器 DDR4 內(nèi)存模塊 6351 0

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2023-08-22 標(biāo)簽：cpu 內(nèi)存 DDR4 5.7萬 0

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　DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異

2023-09-26 標(biāo)簽：處理器電壓 DDR4 3.0萬 0

51單片機的內(nèi)存模塊詳解

程序存儲區(qū)也分為片內(nèi)和片外，一般來說，現(xiàn)在的51很多已經(jīng)做到了64K，所以很少有外擴片外Flash或者片外的Rom了，F(xiàn)lash或者Rom不管是...

2019-09-29 標(biāo)簽：51單片機內(nèi)存模塊 6738 0

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數(shù)據(jù)及其相關(guān)存儲對于所有計算應(yīng)用程序都至關(guān)重要，無論是筆記本電腦、便攜式電腦還是尖端服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心。所有領(lǐng)導(dǎo)智慧城市發(fā)展的現(xiàn)代技術(shù)，例如5G、物聯(lián)網(wǎng)、...

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內(nèi)存時鐘是什么意思

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2023-07-20 標(biāo)簽：傳感器二極管內(nèi)存模塊 962 0

內(nèi)存模塊帖子

請問32GB Intel Optane內(nèi)存模塊利用率小于32GB的原因是什么？

標(biāo)簽：intel 內(nèi)存模塊 3358 4

SMART Modular世邁科技推出DDR5內(nèi)存模塊

標(biāo)簽：內(nèi)存模塊 DDR5 1784 0

內(nèi)存模塊資料下載

DS34S132使用DDR3內(nèi)存模塊應(yīng)用筆記立即下載

類別：設(shè)計資料 2011-08-29 標(biāo)簽：DDR3 DS34S132 內(nèi)存模塊

MegaRAlD SAS 9270-8iRAID控制器快速安裝指南立即下載

類別：電子資料 2023-08-25 標(biāo)簽：控制器 RAID 內(nèi)存模塊

一個4Gbit DDR2 SDRAM高密度系統(tǒng)封裝內(nèi)存模塊立即下載

類別：IC datasheet pdf 2022-06-10 標(biāo)簽：內(nèi)存模塊

內(nèi)存模塊資訊

Cadence公司發(fā)布了關(guān)于即將發(fā)布的DDR5市場版本以及技術(shù)的進展

JEDEC還沒有正式發(fā)布DDR5規(guī)范，但是DRAM制造商和SoC設(shè)計人員正在全力準(zhǔn)備DDR5的發(fā)布。Cadence公司早在2018年就對這項新技術(shù)進行了...

2020-06-08 標(biāo)簽：Cadence 內(nèi)存模塊 PCB打樣 5662 0

具有3200 MHz原生速率的DDR4內(nèi)存模塊將于7月7日推出

　日本著名存儲設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。

2019-07-07 標(biāo)簽：DDR4 內(nèi)存模塊 AMD Ryzen 3603 0

看似簡單的過孔通常也會給電路的設(shè)計帶來很大的負面效應(yīng)

無論從成本和信號質(zhì)量的觀點出發(fā)，選擇孔的大小合理的大小。比如對6-10層的內(nèi)存模塊PCB設(shè)計來說的話，選用10/20Mil（鉆孔/焊盤）的過孔較好，對于...

2020-11-16 標(biāo)簽：電路板高速PCB 內(nèi)存模塊 3256 0

三星計劃在2023年初推出32Gb DDR5內(nèi)存芯片

“32Gb DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節(jié)點上開發(fā)，并計劃在明年初推出，”三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron C...

2022-08-22 標(biāo)簽：模塊內(nèi)存模塊 DDR5 2465 0

DDR一致性測試的操作步驟

DDR一致性測試的操作步驟? DDR（雙數(shù)據(jù)率）一致性測試是對DDR內(nèi)存模塊進行測試以確保其性能和可靠性。在進行DDR一致性測試時，需要遵循一系列的操作...

2024-02-01 標(biāo)簽：DDR 內(nèi)存模塊 2258 0

SMART世邁科技推出首款XMM CXL內(nèi)存模塊

隸屬SGH (Nasdaq: SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出全新C...

2022-09-01 標(biāo)簽：控制器 SMART 內(nèi)存模塊 1600 0

SMART Modular世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊

隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和3...

2022-11-03 標(biāo)簽：SMART 內(nèi)存模塊 1307 0

三星推出LPCAMM規(guī)格內(nèi)存模組：面積縮小60%、能效提高70%

三星表示，該存儲器的速度為7.5gbps，并得到了英特爾平臺的系統(tǒng)認證。到目前為止，筆記本電腦使用so-dimm內(nèi)存模塊，其性能和其他物理特性一直受到限...

2023-09-27 標(biāo)簽：英特爾三星電子存儲器 1216 0

美光發(fā)布基于LPDDR5X的LPCAMM2內(nèi)存模塊

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAM...

2024-01-19 標(biāo)簽：DRAM 美光內(nèi)存模塊 986 0

宇瞻發(fā)表SBC強固型內(nèi)存模塊

宇瞻科技(Apacer)日前宣布開發(fā)了一款專為旗下單板計算機 (SBC) 量身設(shè)計的強固型內(nèi)存模塊

2011-04-25 標(biāo)簽：宇瞻內(nèi)存模塊 982 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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