全球領先的半導體存儲解決方案提供商美光科技（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布成功推出其首款多路復用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM），這一創(chuàng)新產(chǎn)品旨在助力客戶應對日益復雜的工作負載挑戰(zhàn)，最大化計算基礎設施的效能與價值。專為那些需要單個DIMM插槽內(nèi)存超過128GB的應用場景設計，美光MRDIMM在帶寬、容量、延遲及能效方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，尤其在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶環(huán)境、高性能計算（HPC）及人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心工作負載方面，相較于當前主流的TSV RDIMM技術(shù)，實現(xiàn)了性能的飛躍。

美光副總裁兼計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan表示：“美光MRDIMM作為我們最新的主存解決方案，不僅為下一代服務器平臺帶來了亟需的帶寬和容量提升，還顯著降低了延遲，專為擴展AI推理和高性能計算應用而生。在保持與RDIMM相同的可靠性、可用性、適用性和接口標準的同時，MRDIMM通過降低每項任務的能耗，為客戶提供了性能可擴展且靈活的解決方案。我們與業(yè)界的緊密合作確保了這款解決方案能夠無縫集成于現(xiàn)有服務器基礎設施，并順利過渡到未來的計算平臺。”

依托DDR5的物理和電氣標準，MRDIMM實現(xiàn)了內(nèi)存技術(shù)的重大突破，不僅擴展了單核心的帶寬和容量，還為未來的計算系統(tǒng)奠定了堅實基礎，滿足數(shù)據(jù)中心日益增長的工作負載需求。相較于RDIMM，MRDIMM的優(yōu)勢顯著，包括有效內(nèi)存帶寬提升高達39%、總線效率提升超過15%，以及延遲降低至多40%。

在容量選擇上，MRDIMM提供了從32GB到256GB的廣泛選項，支持標準型和高型外形規(guī)格（TFF），完美適配高性能的1U和2U服務器。特別是其優(yōu)化的散熱設計，使得在相同功耗和氣流條件下，DRAM溫度可降低多達20攝氏度，從而提升了數(shù)據(jù)中心的散熱效率，并優(yōu)化了內(nèi)存密集型工作負載的總系統(tǒng)能耗。值得一提的是，美光憑借先進的內(nèi)存設計和制程技術(shù)，在256GB TFF MRDIMM上采用了32Gb DRAM芯片，實現(xiàn)了與采用16Gb芯片的128GB TFF MRDIMM相同的功耗水平，同時在最大數(shù)據(jù)傳輸速率下，性能較同容量的TSV RDIMM提升35%，為數(shù)據(jù)中心帶來了前所未有的總體擁有成本（TCO）優(yōu)勢。

英特爾副總裁兼數(shù)據(jù)中心至強6產(chǎn)品管理總經(jīng)理Matt Langman對此表示：“MRDIMM通過DDR5接口和技術(shù)，實現(xiàn)了與英特爾至強6處理器平臺的無縫兼容，為客戶提供了更高的靈活性和更多選擇。這一解決方案覆蓋了從32GB到256GB的多種容量規(guī)格，包括標準和高型外形，全面滿足高性能計算、AI及多種工作負載的需求，所有這些都在同一支持標準DIMM的英特爾至強6處理器平臺上實現(xiàn)。我們期待客戶能從美光豐富的MRDIMM產(chǎn)品組合中受益。”

聯(lián)想集團副總裁兼人工智能和高性能計算總經(jīng)理Scott Tease也強調(diào)：“隨著處理器和GPU核心數(shù)的快速增長，內(nèi)存帶寬的需求卻未能同步跟上，以維持系統(tǒng)性能的平衡。美光MRDIMM的推出，對于內(nèi)存密集型任務如AI推理、再訓練及高性能計算工作負載而言，無疑將有效縮小這一帶寬差距。我們與美光的緊密合作，將共同為客戶提供更加平衡、高性能且可持續(xù)的技術(shù)解決方案。”

目前，美光MRDIMM已正式上市，并計劃于2024年下半年實現(xiàn)批量出貨。未來幾代MRDIMM產(chǎn)品將繼續(xù)引領行業(yè)趨勢，提供比同代RDIMM高出45%的單通道內(nèi)存帶寬，持續(xù)推動數(shù)據(jù)中心和計算性能的新飛躍。