資料介紹
為了分析色散效應對晶體硅太陽電池反射率的影響,在考慮材料折射率色散效應的情況下,運用光學干涉矩陣計算了具有SiO? 單層減反射膜和MgFz /ZnS 雙層減反射膜晶體硅太陽電池的反射率與波長的函數關系,并與實驗結果和未考慮色散效應的計算結果進行了對比分析。結果表明: 考慮折射率色散效應的計算結果與實驗測量數據完全相符,而未考慮折射率色散效應的計算結果與實驗測量數據相差較大,最大差值分別為21.5%和16.9%.
減反射膜材料和晶體硅的折射率為了分析折射率色散效應對晶體硅太陽電池反射率的影響,必須先確定減反射膜材料和晶體硅的折射率色散關系。各種減反射膜材料和晶體硅的折射率隨著波長的變化關系是完全不同的。圖1繪出了SiO:.ZnS.MgFz.三種減反射膜材料和晶體硅的折射率色散關系曲線!13- 151.由圖1可以看出,SiOz.ZnS.MgFz 和晶體硅的折射率在350~600 nm 波長范圍內隨著波長的變化均存在較大變化。在這個波長范圍,SiOz.ZnS.MgFz.三種減反射膜材料的折射率隨著波長的增加單調減小,而晶體硅的折射率在這個波長范圍出現一個極大值。因此,可以預期折射率色散效應對晶體硅太陽電池反射率的影響是值得考慮的。
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