資料介紹
在真空熔煉過后,還要經(jīng)過一個(gè)降溫穩(wěn)定,就進(jìn)入定向凝固階段。這個(gè)過程既是多晶硅的晶體生長(zhǎng)過程,也能夠?qū)厥樟虾鸵苯鸱ǘ嗑Ч枇现泻械碾s質(zhì)進(jìn)行進(jìn)一步的提純。
(一) 定向凝固與分凝現(xiàn)象
硅液中的雜質(zhì)在硅液從底部開始凝固的時(shí)候,雜質(zhì)趨向于向液體中運(yùn)動(dòng),而不會(huì)停留在固體中。這個(gè)現(xiàn)象叫做分凝現(xiàn)象。
在固液界面穩(wěn)定的時(shí)候,雜質(zhì)在固體中的數(shù)量與在液體中的數(shù)量的比值,叫做分凝系數(shù)。分凝系數(shù)小于1的雜質(zhì),在進(jìn)行定向凝固的時(shí)候,都會(huì)趨向于向頂部富集。富集的數(shù)量和程度,取決于分凝系數(shù)的多少。一般來說,金屬雜質(zhì)的分凝系數(shù)都在10-3 以下(鋁大約是0.08),所以,定向凝固方式除雜,對(duì)于金屬雜質(zhì)比較有效;而硼和磷的分凝系數(shù)分別為0.8和0.36,因此,硼和磷的分凝現(xiàn)象就不是太明顯。
在定向凝固提純的同時(shí),考慮硅的長(zhǎng)晶工藝,使得定向凝固后的硅能夠成為多晶硅錠而直接進(jìn)行切片,這就是將提純與鑄錠統(tǒng)一在一個(gè)工藝流程中完成了。這也是普羅的提純鑄錠爐的重要提純手段。由于含有雜質(zhì)的硅料和高純料的結(jié)晶和熔液的性質(zhì)都不太一樣,因此,提純鑄錠爐所采用的熱場(chǎng)與純粹鑄錠爐的熱場(chǎng)是有區(qū)別的。
普羅新能源公司目前采用自己研制的提純鑄錠一體化的專利設(shè)計(jì),比較成功地解決了這個(gè)問題,使得真空熔煉與鑄錠是在一次工藝?yán)锿瓿傻模容^好地解決了提純的問題,也圓滿地完成了鑄錠的要求。
(二)晶體生長(zhǎng)過程
定向凝固分為以下四個(gè)階段,包括:晶胚形成、多晶生長(zhǎng)、頂部收頂、退火冷卻。
晶胚形成
在熔煉過后,要把硅溶液的溫度降低到1440 ℃左右,并保持一段時(shí)間,然后,使坩堝底部開始冷卻,冷卻到熔點(diǎn)以下6-10 ℃左右,即1404-1408 ℃左右。
RDS4.0型的爐體降低底部溫度的方法是降低底部功率,和逐漸打開底部熱開關(guān)的方式。與常規(guī)鑄錠爐的提升保溫體和加熱體方式相比,由于不存在四周先開始冷卻然后才逐步到中央的過程,因此,底部溫度要均勻得多。
鑄錠時(shí),底部紅外測(cè)溫的數(shù)據(jù)不完全是硅液底部的溫度,因?yàn)椋摐y(cè)點(diǎn)與坩堝底部的硅液還隔了至少一層坩堝,因此,紅外溫度僅能參考,還是要根據(jù)每臺(tái)爐子各自的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)。這時(shí),底部會(huì)形成熔點(diǎn)以下的過冷液體,由于坩堝底部的微細(xì)結(jié)構(gòu)的不均勻,在一些質(zhì)點(diǎn)上會(huì)形成晶核,即這些質(zhì)點(diǎn)會(huì)首先凝固,形成結(jié)晶。這些質(zhì)點(diǎn)可能是坩堝上突出的不均勻點(diǎn),可能是坩堝的凹陷,由于位置比其它位置低,所以在降溫的時(shí)候,溫度也會(huì)較低。
晶核形成后,由于太陽能電池需要的是徑向尺寸較大的柱狀晶,因此,最好不要讓晶核一旦形成就立刻向上生長(zhǎng),這樣會(huì)導(dǎo)致晶粒過細(xì);而是首先要讓晶核形成后,先在坩堝底部橫向生長(zhǎng),等長(zhǎng)到一定的尺寸后,再向上生長(zhǎng)。這樣,要求坩堝底部的溫度在下降到熔點(diǎn)稍低后,就保持平穩(wěn),不再下降。這樣,坩堝底部晶核形成后,由于向上生長(zhǎng)時(shí),溫度太高,無法生長(zhǎng),因此,只能橫向生長(zhǎng)。
- 如何生產(chǎn)多晶硅太陽能電池
- 區(qū)分單晶硅和多晶硅電池板的方法
- 多晶硅太陽電池比較單晶硅太陽電池的優(yōu)點(diǎn)介紹 21次下載
- 單晶硅與多晶硅的詳細(xì)解析 19次下載
- 多晶硅鑄錠爐的裝料問題解析 13次下載
- 多晶硅鑄錠的六個(gè)階段詳解 6次下載
- 低溫多晶硅(LTPS)簡(jiǎn)介及其對(duì)比和優(yōu)勢(shì)的介紹 15次下載
- 多晶硅制備詳細(xì)流程及圖解
- PROFIBUS總線在多晶硅生產(chǎn)線的應(yīng)用
- 電子級(jí)多晶硅的生產(chǎn)工藝 0次下載
- 一種多晶硅還原爐自動(dòng)調(diào)功器硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展淺析
- 多晶硅薄膜太陽能電池的研制及發(fā)展趨勢(shì)
- 變溫磷吸雜對(duì)多晶硅性能的影響
- 如何加快我國多晶硅材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展?
- 多晶硅的存儲(chǔ)條件是什么 186次閱讀
- 多晶硅柵工藝的制造流程 764次閱讀
- 多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡(jiǎn)述 3366次閱讀
- 淺析多晶硅錠中位錯(cuò)存在的兩種來源 577次閱讀
- 多晶硅的塊狀破碎過程解析 1366次閱讀
- 多晶硅的用途包括哪些 9291次閱讀
- 什么是多晶硅 1.8w次閱讀
- 在玻璃上制備大晶粒多晶硅薄膜的方法 1992次閱讀
- 采用PROFIBUS DP實(shí)現(xiàn)多晶硅還原爐電氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 3808次閱讀
- 多晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)詳細(xì)介紹 6286次閱讀
- 多晶硅太陽能板品牌_多晶硅太陽能板價(jià)格 7629次閱讀
- 多晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)_多晶硅太陽能電池原理 2.6w次閱讀
- 多晶硅生產(chǎn)中對(duì)人體危害有多大_多晶硅得危害大嗎 4.3w次閱讀
- 單晶硅、多晶硅和非晶等幾種硅基太陽能電池的介紹 2.4w次閱讀
- 光伏技術(shù):單晶硅與多晶硅的區(qū)別 1w次閱讀
下載排行
本周
- 1TC358743XBG評(píng)估板參考手冊(cè)
- 1.36 MB | 330次下載 | 免費(fèi)
- 2開關(guān)電源基礎(chǔ)知識(shí)
- 5.73 MB | 11次下載 | 免費(fèi)
- 3100W短波放大電路圖
- 0.05 MB | 4次下載 | 3 積分
- 4嵌入式linux-聊天程序設(shè)計(jì)
- 0.60 MB | 3次下載 | 免費(fèi)
- 5DIY動(dòng)手組裝LED電子顯示屏
- 0.98 MB | 3次下載 | 免費(fèi)
- 6基于FPGA的C8051F單片機(jī)開發(fā)板設(shè)計(jì)
- 0.70 MB | 2次下載 | 免費(fèi)
- 751單片機(jī)PM2.5檢測(cè)系統(tǒng)程序
- 0.83 MB | 2次下載 | 免費(fèi)
- 8基于51單片機(jī)的RGB調(diào)色燈程序仿真
- 0.86 MB | 2次下載 | 免費(fèi)
本月
- 1OrCAD10.5下載OrCAD10.5中文版軟件
- 0.00 MB | 234315次下載 | 免費(fèi)
- 2555集成電路應(yīng)用800例(新編版)
- 0.00 MB | 33566次下載 | 免費(fèi)
- 3接口電路圖大全
- 未知 | 30323次下載 | 免費(fèi)
- 4開關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例指南
- 未知 | 21549次下載 | 免費(fèi)
- 5電氣工程師手冊(cè)免費(fèi)下載(新編第二版pdf電子書)
- 0.00 MB | 15349次下載 | 免費(fèi)
- 6數(shù)字電路基礎(chǔ)pdf(下載)
- 未知 | 13750次下載 | 免費(fèi)
- 7電子制作實(shí)例集錦 下載
- 未知 | 8113次下載 | 免費(fèi)
- 8《LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)》 溫德爾著
- 0.00 MB | 6656次下載 | 免費(fèi)
總榜
- 1matlab軟件下載入口
- 未知 | 935054次下載 | 免費(fèi)
- 2protel99se軟件下載(可英文版轉(zhuǎn)中文版)
- 78.1 MB | 537797次下載 | 免費(fèi)
- 3MATLAB 7.1 下載 (含軟件介紹)
- 未知 | 420027次下載 | 免費(fèi)
- 4OrCAD10.5下載OrCAD10.5中文版軟件
- 0.00 MB | 234315次下載 | 免費(fèi)
- 5Altium DXP2002下載入口
- 未知 | 233046次下載 | 免費(fèi)
- 6電路仿真軟件multisim 10.0免費(fèi)下載
- 340992 | 191186次下載 | 免費(fèi)
- 7十天學(xué)會(huì)AVR單片機(jī)與C語言視頻教程 下載
- 158M | 183279次下載 | 免費(fèi)
- 8proe5.0野火版下載(中文版免費(fèi)下載)
- 未知 | 138040次下載 | 免費(fèi)
評(píng)論