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就建設(shè)1 000 t 電子級(jí)多晶硅廠的技術(shù)進(jìn)行了探討。對(duì)三氯氫硅法、四氯化硅法、二氯二氫硅法和硅
烷法生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量、安全性、運(yùn)輸和存貯的可行性、有用沉積比、沉積速率、一次轉(zhuǎn)換率、生長(zhǎng)溫度、電
耗和價(jià)格進(jìn)行了對(duì)比; 對(duì)還原或熱分解使用的反應(yīng)器即鐘罩式反應(yīng)器、流床反應(yīng)器和自由空間反應(yīng)器也進(jìn)行了
比較。介紹了用三氯氫硅鐘罩式反應(yīng)器法生產(chǎn)多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程適于1 000 t/ a 級(jí)的電子級(jí)多
晶硅生產(chǎn)。
烷法生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量、安全性、運(yùn)輸和存貯的可行性、有用沉積比、沉積速率、一次轉(zhuǎn)換率、生長(zhǎng)溫度、電
耗和價(jià)格進(jìn)行了對(duì)比; 對(duì)還原或熱分解使用的反應(yīng)器即鐘罩式反應(yīng)器、流床反應(yīng)器和自由空間反應(yīng)器也進(jìn)行了
比較。介紹了用三氯氫硅鐘罩式反應(yīng)器法生產(chǎn)多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程適于1 000 t/ a 級(jí)的電子級(jí)多
晶硅生產(chǎn)。
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