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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>基于EconoDUAL 3設(shè)計的600A/1200V汽車驅(qū)動

基于EconoDUAL 3設(shè)計的600A/1200V汽車驅(qū)動

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2009-11-19 08:49:32697

IR推出汽車驅(qū)動應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC

IR推出汽車驅(qū)動應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC 國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC,適用于汽車電機驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411350

華潤微電子開發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺

華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺,各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求,成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061470

鉗式交流電流傳感器擴大600A產(chǎn)品陣容

  TDK株式會社(社長:上釜 健宏)在鉗式交流電流傳感器CCT系列產(chǎn)品中追加了600A的新產(chǎn)品(鉗內(nèi)徑:φ36mm)從而擴大了產(chǎn)品陣容,并將從今年7月起開始量產(chǎn)。
2016-04-06 13:55:10649

驅(qū)動IGBT_1200V模塊的輔助電源(3 W反激式)

驅(qū)動IGBT 1200V模塊的輔助電源(3 W反激式),感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:4534

Mentor Graphics 推出獨特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案

  俄勒岡州威爾遜維爾,2016 年 5 月 23 日—Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布推出全新的 MicReD? Power Tester 600A 產(chǎn)品,其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性。
2016-05-24 10:26:431327

G2S12010B 1200V 10A 兼容C4D10120D

G2S12010B 1200V 10A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C4D10120D 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用? 不受溫度影響的開關(guān)特性? 最高工作溫度175℃ ?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190

G2S12005A 1200V 5A 兼容 C4D05120A

G2S12005A 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D05120A 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用? 不受溫度影響的開關(guān)特性? 最高工作溫度175℃ ?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190

G2S12002C 1200V 2A 兼容 C4D02120A

G2S12002C 1200V 2A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D02120A 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用? 不受溫度影響的開關(guān)特性? 最高工作溫度175℃ ?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:1910

G2S12005C 1200V 5A 兼容 C4D05120E

G2S12005C 1200V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容 C4D05120E 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)使用? 不受溫度影響的開關(guān)特性? 最高工作溫度175℃ ?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:192

Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

系列(1200V,600A)可為設(shè)計師提供顯著更高的額定電流,能夠依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。
2016-10-25 16:29:152735

1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計_陳天

1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計_陳天
2017-01-08 14:36:357

各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護方案,IGBT靜態(tài)和動態(tài)特性是什么?

。其分別適合于驅(qū)動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動中小功率的IGBT時,驅(qū)動效果和各項性能表現(xiàn)優(yōu)良
2017-05-17 15:03:204475

高頻應(yīng)用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6發(fā)布

新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計,可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836

深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042

ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418

羅姆推車用級1200V耐壓IGBT 應(yīng)對電動汽車需求

據(jù)外媒報道,最近,日本羅姆半導(dǎo)體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內(nèi)的逆變器,以及正溫度系數(shù)(PTC)加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501493

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947

Power Integrations推出汽車級門極驅(qū)動器,采用FluxLink通信技術(shù)

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后,新器件擴展了公司的汽車驅(qū)動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:002755

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513428

比亞迪半導(dǎo)體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

近期,比亞迪半導(dǎo)體基于先前研發(fā)成果的穩(wěn)固基礎(chǔ)上,繼續(xù)整合自身優(yōu)勢,成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片——BF1181,今年12月實現(xiàn)向各大廠商批量供貨。
2021-12-16 10:52:452719

東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

比亞迪半導(dǎo)體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司,在SiC功率器件領(lǐng)域,比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?;瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:571216

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認(rèn)證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16875

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

實現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點

轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05171

英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(高達(dá)10kW)。
2023-05-18 16:18:24317

新品 | 1200V低阻值CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品

提高。封裝采用.XT互連技術(shù),最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594

新品 | EiceDRIVER? 0.35A/0.65A 1200V SOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動

新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動器EiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動器,典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝
2023-02-22 11:11:49569

新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列

新品帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列帶有集成自舉二極管和過流保護OCP的1200VSOI半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列產(chǎn)品型號:2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列誕生了首批1200VSOI半橋產(chǎn)品,用于高功率應(yīng)用,如商用
2023-05-18 09:42:01718

士蘭微電子推出高性能汽車驅(qū)動模塊—600A/1200V IGBT模塊

汽車驅(qū)動產(chǎn)品來實現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動態(tài)特性實測

在此方向上,青桐資本項目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡稱「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),并于近日與泰克科技(Tektronix Inc.)合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301370

用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44231

新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號:FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V
2023-07-31 16:57:59584

士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅(qū)動模塊,提升充電速度與行駛動力

隨著人們對環(huán)保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發(fā)展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續(xù)航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此,需要更好的汽車驅(qū)動產(chǎn)品來實現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。
2023-09-07 16:50:29625

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動,能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26488

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10424

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計。
2024-03-06 11:43:19283

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實力,也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

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