女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅動模塊,提升充電速度與行駛動力

皇華ameya ? 來源:年輕是一場旅行 ? 作者:年輕是一場旅行 ? 2023-09-07 16:50 ? 次閱讀

隨著人們對環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此,需要更好的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。

針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好的體驗。

該模塊產品阻斷電壓可以達到1200V,可以滿足800V平臺新能源汽車快速充電的需求,在5C倍率的充電速度下,可以實現5min充電0-80%。同時,該模塊峰值工況下支持850V電壓,輸出電流350-400Arms,輸出動能強,汽車加速快,這對于追求速度與激情的消費者來說是極其重要的。

士蘭微電子基于自主研發的精細溝槽 FS-V 技術開發的這款六單元拓撲模塊,可以為車輛提供高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級特性,從而為嚴苛的環境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

與傳統的驅動模塊相比,士蘭600A/1200V IGBT模塊的電流密度更高,可以將更多的功率輸出到驅動軸,提高車輛的加速性能和行駛距離。此外,該模塊還具有高短路能力和高阻斷電壓等級,可以保護逆變器免受突發電流和電壓的損害,從而延長逆變器的壽命。

該模塊IGBT芯片采用士蘭最新一代的場截止5代(Field-Stop V)技術和最先進的精細溝槽技術,較之前常規IGBT工藝具有更窄的臺面寬度,用于降低飽和壓降,提高器件的功率密度,縮小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um,可以使得器件-40度下耐壓大于1200V,大大降低了器件的飽和壓降和關斷損耗;其低 VCE(sat)特性使該模塊具備正溫度系數,具有較低的靜態損耗,以及低開關損耗,可以增大模塊的輸出能力,提高整個電控系統的效率;采用導熱性優良的DBC,進一步降低模塊熱阻,提高輸出能力。

產品驗證數據顯示,該模塊的規格和同封裝下的輸出能力已經超過了同類競品,達到了世界一流水平。這也意味著,士蘭600A/1200V IGBT模塊是一款創新產品,它可以為混動和純電動汽車等應用帶來更高的燃油效率和更快的充電速度,進而改善車輛的性能和駕駛體驗。

wKgaomT5jtSAQClKAABvdiORxUM087.png

二十多年來,士蘭微電子堅持走“設計制造一體化”道路,打通了“芯片設計、芯片制造芯片封裝”全產業鏈,實現了“從5吋到12吋”的跨越,為汽車客戶與零部件供應商提供一站式的服務。

士蘭微電子應用于汽車電子的產品不僅涵蓋了主驅、車載充電機、車身電子、底盤電子和智能座艙等功率器件,還包括驅動IC、電源IC、電機IC和MCU等系列產品,可以為客戶提供更可靠、更具性價比、更高性能的產品和解決方案。在穩產保供的大方針下,全力以赴促進客戶和行業的共同發展。

wKgZomT5jtWAarTDAAIT81aipiU552.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 新能源汽車
    +關注

    關注

    141

    文章

    10896

    瀏覽量

    101300
  • IGBT
    +關注

    關注

    1277

    文章

    4022

    瀏覽量

    253263
  • 士蘭微
    +關注

    關注

    1

    文章

    73

    瀏覽量

    19113
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽車加速普及的今天,續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切,1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點
    的頭像 發表于 05-14 17:55 ?359次閱讀

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOP
    的頭像 發表于 05-13 17:04 ?315次閱讀
    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發射極<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

    。英飛凌發布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動
    的頭像 發表于 05-06 14:08 ?163次閱讀
    新型<b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC功率<b class='flag-5'>模塊</b>用于高電壓應用的新功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

    在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的頭像 發表于 04-29 14:43 ?274次閱讀

    驅動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用

    隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌12
    的頭像 發表于 03-24 17:43 ?1974次閱讀
    <b class='flag-5'>驅動</b>電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用

    陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

    陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產品型號為YGK40N120TMA1。
    的頭像 發表于 03-11 16:17 ?384次閱讀
    陸芯科技<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V40A</b> GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b>單管

    芯達茂國產IGBT模塊,國產IBGT單管 全系列型號

    深圳市三佛科技有限公司介紹芯達茂國產IGBT模塊,國產IBGT單管 提供樣品,技術支持。 國產IBGT+FRD單管: XD005G120AY1G3應用:充電搶5A
    發表于 12-19 15:03

    森國科推出全新1200V/25A IGBT

    森國科推出1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒
    的頭像 發表于 12-04 16:16 ?635次閱讀
    森國科<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b>/25<b class='flag-5'>A</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>

    英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM

    高性能CIPOS Maxi轉模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術。由于采用了最新的溝槽設計芯片,該產品具有卓越
    的頭像 發表于 11-22 14:28 ?627次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>推出</b>新型CIPOS Maxi 10-20<b class='flag-5'>A</b> <b class='flag-5'>1200V</b> IPM

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代I
    的頭像 發表于 11-14 14:59 ?1577次閱讀
    深度了解第8代1800<b class='flag-5'>A</b>/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    ROHM推出第四代1200V IGBT

    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT
    的頭像 發表于 11-13 13:55 ?769次閱讀
    ROHM<b class='flag-5'>推出</b>第四代<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>

    2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

    1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的
    的頭像 發表于 09-18 17:18 ?785次閱讀
    2.5nH超低電感的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET三相全橋<b class='flag-5'>模塊</b>

    國產MEMS三軸加速度傳感器的多元應用場景

    國產SC7A20H三軸加速度傳感器
    的頭像 發表于 08-08 14:39 ?1958次閱讀

    1200V GaN又有新玩家入場,已進入量產

    量產階段并通過可靠性測試。 ? 1200V 藍寶石基GaN 器件 ? 據介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產四種規格的型號,包括150mΩ/12A、100mΩ/15A
    的頭像 發表于 07-31 01:06 ?4182次閱讀

    正式發布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs產品系列

    氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業領導者——納半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)正式發布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs產品系列,為實現最快的開關速度
    的頭像 發表于 06-11 15:46 ?1002次閱讀