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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMC3AMC 30V 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET

型號： ZXMC3AMC

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMC3AMC
  • 名稱 30V 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 DFN3020B-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMC3AMC 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMC3AMC該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(on) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMC3AMC
名稱                    30V 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    DFN3020B-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7, 2.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.45 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120, 210 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180, 330 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.3, 3.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.9, 6.4 nC
CISS Typ (pF) 190, 206 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V


主要特征
適用于精簡應(yīng)用程序的薄型封裝
低RθJA，熱效率封裝6mm2
占地面積，比TSOP6和SOT23-6小50%
低導(dǎo)通電阻
切換速度快


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