--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH4M70SPGW
- 名稱 40V +175°C 雙 N 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 PowerDI®8080-5
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的 DMTH4M70SPGW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMTH4M70SPGW
名稱 40V +175°C 雙 N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI?8080-5
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 460 A
PD @TA = +25°C (W) 5.6 W
PD @TC = +25°C (W) 428 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 0.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 117.1 nC
CISS Typ (pF) 10053 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度
環境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 —
確保最終應用更加可靠和穩健
高轉換效率
低 RDS(ON)——最大限度地減少功率損耗
用于改進光學檢測的可潤濕側面
開關速度快
低輸入電容
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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