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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH45M5LPDWQ 40V +175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMTH45M5LPDWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH45M5LPDWQ
  • 名稱 40V +175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI® 5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH45M5LPDWQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH45M5LPDWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DMTH45M5LPDWQ
名稱                    40V +175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                     PowerDI? 5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 79 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
PD @TC = +25°C (W) 60 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7.9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.2 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.9 nC
CISS Typ (pF) 978 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面


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