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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH45M5LFVWQ 40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH45M5LFVWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH45M5LFVWQ
  • 名稱 40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI® 3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH45M5LFVWQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH45M5LFVWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準，受 PPAP 支持，非常適合用于：背光、電源管理功能和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH45M5LFVWQ
名稱                    40V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                     PowerDI? 3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 71 A
PD @TA = +25°C (W) 3.5 W
PD @TC = +25°C (W) 51 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7.9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.2 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.9 nC
CISS Typ (pF) 978 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
優(yōu)秀的 Q gd x R DS(ON)產(chǎn)品 (FOM)
用于改進光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健


相關(guān)型號
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DMTH6002LPSWQ
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DMTH6004LPSQ
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DMTH6004SCTB
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