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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4014LFVW 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMTH4014LFVW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH4014LFVW
  • 名稱 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4014LFVW 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH4014LFVW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                   DIODES
型號(hào)                   DMTH4014LFVW
名稱                   40V  N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺(tái)灣
封裝                    POWERDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 49.8 A
PD @TA = +25°C (W) 3.1 W
PD @TC = +25°C (W) 49.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 13.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.2 nC
CISS Typ (pF) 750 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
低 RDS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
優(yōu)秀的 Qgd x RDS (ON) 產(chǎn)品 (FOM)
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤濕
側(cè)面 生產(chǎn)中 100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測(cè)試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健


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DMTH41M2SPSQ
DMTH41M8SPS
DMTH41M8SPSQ
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DMTH43M8LPSQ

 

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