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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMT8030LFDF 80V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMT8030LFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMT8030LFDF
  • 名稱 80V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT8030LFDF 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT8030LFDF 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMT8030LFDF
名稱                  80V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.4 nC
CISS Typ (pF) 641 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低導(dǎo)通電阻


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