--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMT64M1LPSW
- 名稱 65V N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI®5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT64M1LPSW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT64M1LPSW
名稱 65V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 65 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 21.8 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 81.7 A
PD @TA = +25°C (W) 3.14 W
PD @TC = +25°C (W) 44 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 51.4 nC
CISS Typ (pF) 2626 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生產(chǎn)中的100%無阻尼感應開關(guān)(UIS)測試--
確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應用程序
高轉(zhuǎn)換效率
低RDS(ON)--最大限度地減少電源損耗
低Qg——最大限度地減少開關(guān)損耗
用于改進光學檢測的可潤濕法蘭
快速切換速度
低輸入電容
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