--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMT10H032SFVW
- 名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI®3333-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT10H032SFVW 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT10H032SFVW
名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 35 A
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8 nC
CISS Typ (pF) 544 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 – 確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
用于改進光學檢測的可潤濕側面
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