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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2045UFY4 20V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP2045UFY4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP2045UFY4
  • 名稱 20VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN2015-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2045UFY4  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2045UFY4 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMP2045UFY4
名稱                20VP  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                X2-DFN2015-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.49 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 58 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 90 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.8 nC
CISS Typ (pF) 634 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)


相關(guān)型號(hào)
DMP2016UFDF
DMP2018LFK
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DMP2021UFDF
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