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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2005UFG 20V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP2005UFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2005UFG
  • 名稱 20V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2005UFG 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2005UFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMP2005UFG
名稱                20V P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                 臺灣
封裝                PowerDI3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 19 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 55 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 125 nC
CISS Typ (pF) 4670 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低 R DS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸、高熱效率的封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品

 

相關(guān)型號
DMNH6065SPDW
DMNH6065SPDWQ
DMNH6069SFVW
DMNH6069SFVWQ
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DMP1007UCB9
DMP1008UCA9
DMP1008UCB9
DMP1009UFDF
DMP1009UFDFQ
DMP1011LFV
DMP1046UFDB
DMP1055UFDB
DMP1055USW
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DMP1070UCA3
DMP1070UQ
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DMP2008UFG
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DMP2010UFV
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DMP2021UFDF
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DMP2021UTSQ
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DMP2022LSSQ
DMP2023UFDF
DMP2033UVT
DMP2035U
DMP2035UFCL
DMP2035UFDF
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DMP2035UVT
DMP2035UVTQ
DMP2036UVT

 

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