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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMNH10H021SPSW 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMNH10H021SPSW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMNH10H021SPSW
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMNH10H021SPSW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMNH10H021SPSW 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMNH10H021SPSW
名稱                100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 58 A
PD @TA = +25°C (W) 4.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 71 nC
CISS Typ (pF) 3789 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

 

主要特征
額定溫度為 +175°C — 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)熱效率封裝冷卻器運行應用中的 100% 未鉗位感應開關 (UIS) 測試
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關速度快
用于改進光學檢測的可潤濕側面

 

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