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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN4020LFDE N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN4020LFDE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN4020LFDE
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type E)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN4020LFDE 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN4020LFDE 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN4020LFDE
名稱(chēng)                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                U-DFN2020-6 (Type E)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19.1 nC
CISS Typ (pF) 1060 pF

 

主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻

 

相關(guān)型號(hào)
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