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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN33D9LV 雙N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN33D9LV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN33D9LV
  • 名稱 雙N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN33D9LV  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN33D9LV 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN33D9LV
名稱                雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT563

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.35 A
PD @TA = +25°C (W) 0.43 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.55 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.23 nC
CISS Typ (pF) 48 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 5 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護柵極

 

相關(guān)型號
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DMN33D9LV
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DMN3401LDWQ
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DMN3731U
DMN3731UFB4
DMN3732UFB4
DMN3732UFB4Q
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