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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3029LFG N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN3029LFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3029LFG
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3029LFG  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3029LFG 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻（RDS（on）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3029LFG
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                POWERDI3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 580 pF

 

主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
體積小、熱效率高的封裝
密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品
100%UIS（雪崩）評(píng)級(jí)
100%Rg測(cè)試

 

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