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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMN2992UFB4Q 20V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2992UFB4Q

--- 產品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2992UFB4Q
  • 名稱 20V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN1006-3

--- 產品詳情 ---

DMN2992UFB4Q 

產品簡介
DIODES 的 DMN2992UFB4Q 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應用。

 

產品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2992UFB4Q
名稱               20V N 溝道增強型 MOSFET
產地               臺灣
封裝               X2-DFN1006-3


產品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.83 A
PD @TA = +25°C (W) 1.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.41 nC
CISS Typ (pF) 15.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

 

主要特征
占位面積僅為 0.6mm 2 – 比 SOT23 小十三倍
4 毫米輪廓 – 薄型應用的理想選擇
低柵極閾值電壓
開關速度快

 

相關型號
DMN2992UFB4Q
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DMN3008SFG
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