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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2050LFDB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2050LFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2050LFDB
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type B)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2050LFDB

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2050LFDB 這種MOSFET被設(shè)計為使導(dǎo)通電阻最小化（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2050LFDB
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6 (Type B)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.42 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 55 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12 nC
CISS Typ (pF) 389 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號
DMN2050LFDB
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DMN2055UWQ
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DMN2058U
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DMN2075U
DMN2075UDW
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DMN2100UDM
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