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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2022UFDF 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2022UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2022UFDF
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2022UFDF 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2022UFDF 這種MOSFET被設(shè)計為使導(dǎo)通電阻最小化（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2022UFDF
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6 (Type F)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 26 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 36 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 907 pF

 

主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
快速切換速度
ESD保護門


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