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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H170SVT 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN10H170SVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H170SVT
  • DMN10H170S N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H170SVT 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H170SVT這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌             DIODES
型號             DMN10H170SVT
名稱             N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地              臺灣
封裝              TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 200 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
完全無鉛且完全符合 RoHS 標準 
不含鹵素和銻。“綠色”設備


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