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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN1045UFR4 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN1045UFR4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN1045UFR4
  • 名稱(chēng) N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN1010-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1045UFR4 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1045UFR4這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(on))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMN1045UFR4
名稱(chēng)            N溝道MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            X2-DFN1010-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 64 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 85 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.8 nC
CISS Typ (pF) 390 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入/輸出泄漏
快速切換速度
ESD保護(hù)門(mén)


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