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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG7430LFGQ 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMG7430LFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG7430LFGQ
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG7430LFGQ

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG7430LFGQ 這種MOSFET設(shè)計用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，由PPAP，非常適合用于：
電機控制
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG7430LFGQ
名稱            N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            PowerDI3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 26.7 nC
CISS Typ (pF) 1281 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 RDS(ON) – 確保最小化狀態(tài)損失
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān)，生產(chǎn)測試 – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品


相關(guān)型號
DMG7410SFG
DMG7430LFG
DMG7430LFGQ
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DMG8822UTS
DMG8880LK3
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DMG9926USD
DMG9933USD
DMGD7N45SSD
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DMHC3025LSD
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DMHC4035LSDQ
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DMHT3006LFJ
DMHT6016LFJ
DMN1001UCA10
DMN1002UCA6
DMN1003UCA6
DMN1003UFDE
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