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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXGD3112N7 MOSFET 控制器

型號(hào)： ZXGD3112N7

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 不
  • 合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 25伏
  • 漏極電壓 V D 400伏
  • 源電流I SOURC 2個(gè)
  • 灌電流 I SINK 5個(gè)
  • 關(guān)斷時(shí)間 (td2) 400 納秒
  • 關(guān)斷時(shí)間 (tf) 131納秒

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3112N7

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 
DIODES 的 ZXGD3112N7 是一款 400V 有源 OR'ing MOSFET 控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 R DS(ON)功率 MOSFET 作為理想二極管。這取代了標(biāo)準(zhǔn)整流器以減少正向壓降并整體提高功率傳輸效率。
ZXGD3112N7 可用于電壓軌高達(dá) ±400V 的高側(cè)和低側(cè)電源裝置 (PSU)。它使 R DS(ON)非常低的MOSFET 能夠作為理想二極管運(yùn)行，因?yàn)殛P(guān)斷閾值僅為 3mV，容差為 ±2mV。在典型的 48V 配置中，待機(jī)功耗 <50mW，因?yàn)榈挽o態(tài)電源電流 <1mA。在 PSU 故障條件下，OR'ing 控制器檢測(cè)到功率降低并在 <600ns 內(nèi)快速關(guān)閉 MOSFET，以阻止反向電流流動(dòng)并避免公共總線電壓下降。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 不
合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 25伏
漏極電壓 V D  (V) 400伏
源電流I SOURCE  (A) 2個(gè)
灌電流 I SINK  (A) 5個(gè)
關(guān)斷時(shí)間 (td2) (ns) 400 納秒
關(guān)斷時(shí)間 (tf) (ns) 131納秒

 

主要特征
用于高側(cè)或低側(cè) PSU 的有源 OR'ing MOSFET 控制器
降低正向壓降的理想二極管
-3mV 典型關(guān)斷閾值，具有 ±2mV 容差
400V 漏極電壓額定值
25V V CC額定值
<50mW 待機(jī)功耗，靜態(tài)電源電流 <1mA
<600ns 關(guān)斷時(shí)間以最大限度地減少反向電流

 

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