冷熱沖擊試驗(yàn)設(shè)備是品質(zhì)部的一種測(cè)試設(shè)備，可適用于多個(gè)行業(yè)，如電子電器零組件、通訊組件、自動(dòng)化零部件、汽車(chē)配件、化學(xué)材料、金屬、塑膠等，同時(shí)也適合航天、國(guó)防工業(yè)、BGA、兵工業(yè)、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁和高分子材料等領(lǐng)域。

　　冷熱沖擊試驗(yàn)設(shè)備主要用于測(cè)試物品在高、低溫環(huán)境下的反復(fù)抵拉力和熱脹冷縮性能，以及產(chǎn)品在此物理環(huán)境下產(chǎn)生的化學(xué)變化或物理傷害。使用該設(shè)備可以確認(rèn)各種產(chǎn)品的品質(zhì)，從精密的電子芯片到重型機(jī)械組件都需要進(jìn)行測(cè)試。目前，該設(shè)備已經(jīng)成為工業(yè)界公認(rèn)的理想測(cè)試工具之一。

　　使用冷熱沖擊試驗(yàn)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行：

　　GB/T10592-2008是關(guān)于高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件的標(biāo)準(zhǔn)。

　　GB/T2423.1-2008是關(guān)于電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)，其中第2部分是有關(guān)試驗(yàn)方法的規(guī)定。試驗(yàn)A是針對(duì)低溫的試驗(yàn)。

　　《GB/T2423.2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)》的第2部分規(guī)定了試驗(yàn)方法，其中試驗(yàn)B是高溫試驗(yàn)。

　　GB/T2423.22-2012是關(guān)于環(huán)境試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)，其中第2部分為試驗(yàn)方法。試驗(yàn)N是指溫度變化試驗(yàn)，該試驗(yàn)方法與IEC60068-2-14:2009標(biāo)準(zhǔn)相一致。

　　GJB150.《3-86設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法》的第3部分是關(guān)于高溫試驗(yàn)的。

　　《GJB/T150.4-86設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法第4部分低溫試驗(yàn)》規(guī)定了低溫環(huán)境下設(shè)備的試驗(yàn)方法。

　　《GJB/T150.5-86設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法》的第5部分是關(guān)于溫度沖擊試驗(yàn)的。

　　冷熱沖擊試驗(yàn)設(shè)備技術(shù)參數(shù):

　　1.貝爾可根據(jù)客戶的需求制造出更適合的設(shè)備，內(nèi)箱尺寸為W800毫米×H800毫米×D800毫米。

　　2.外箱尺寸：以實(shí)際尺寸為準(zhǔn)。

　　3.高溫槽的預(yù)熱溫度范圍為60攝氏度至200攝氏度。

　　4.加熱速度：從60℃升至200℃不超過(guò)30分鐘。

　　5.預(yù)冷的低溫槽可以達(dá)到-75至-10℃的溫度范圍。

　　6.降溫時(shí)間：從+20℃到-75℃不超過(guò)60分鐘;(注意：降溫時(shí)間是指低溫槽獨(dú)立運(yùn)行時(shí)的表現(xiàn))。

　　7.溫度沖擊范圍為正數(shù)：+60℃至+150℃，負(fù)數(shù)：-65℃至-10℃。

　　8.溫度變化范圍：在攝氏度上上下浮動(dòng)不超過(guò)0.5℃。

　　9.溫度誤差范圍為正負(fù)2.0℃。

　　10.恢復(fù)溫度所需時(shí)間：不超過(guò)5分鐘。

　　11.試樣限制：本實(shí)驗(yàn)設(shè)備不允許測(cè)試或儲(chǔ)存易燃、易爆或易揮發(fā)性物質(zhì)的試樣，也不允許測(cè)試或儲(chǔ)存具有腐蝕性的試樣。