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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UF3C170400K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

型號(hào)： UF3C170400K3S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 1,700
  • RDS(on) 410
  • 內(nèi)徑最大值(A) 7.6
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 是的
  • 包裝類型 TO-247-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF3C170400K3S

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOSFET 時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用 TO-247-3L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,700
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 410
內(nèi)徑最大值(A) 7.6
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-3L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：410 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護(hù)，HBM 2 級(jí)

 

相關(guān)型號(hào)
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
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UF3C170400K3S
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UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
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UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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