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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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QPD0030 射頻功率晶體管

型號： QPD0030

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 5,000
  • 增益（分貝） 22.3
  • 飽和度(dBm) 46.9
  • PAE （%） 71.5
  • 電壓（伏） 48
  • Idq （毫安） 85
  • 包裝類型 QFN
  • 包裝（毫米） 4.0 x 3.0

--- 產品詳情 ---

QPD0030 

產品簡介
Qorvo 的 QPD0030 是一款 45W (P3dB) 無與倫比的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 48V 電源軌上以 DC 至 5GHz 的頻率運行。它非常適合基站、雷達和通信應用，并且可以支持 CW 和脈沖操作模式。
QPD0030 可用于小型基站、微型基站和有源天線系統基站功率放大器末級的 Doherty 架構。QPD0030 還可用作微蜂窩基站功率放大器中的驅動器。
該器件采用行業標準的 4 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 5,000
增益（分貝） 22.3
飽和度(dBm) 46.9
PAE （%） 71.5
電壓（伏） 48
Idq （毫安） 85
包裝類型 QFN
包裝（毫米） 4.0 x 3.0

 

主要特征
頻率范圍：直流至 5 GHz
輸出功率 (P3dB)：2.2 GHz 時為 49 W
線性增益：2.2 GHz 時典型值為 22.3 dB
典型 PAE3dB：2.2 GHz 時為 71.5%
工作電壓：48V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力

 

相關型號
QPD0007
QPD0009J
QPD0010
QPD0011
QPD0012
QPD0020
QPD0030
QPD0050
QPD0060
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