SPEA 利用 DOT800T，將一整套的功率測(cè)試解決方案整合到了單臺(tái)設(shè)備之中，提供了在全范圍功率應(yīng)用中進(jìn)行 ISO、AC、DC 測(cè)試所需的所有資源，從晶圓級(jí)到最終產(chǎn)品，均可輕松完成。
DOT800T 不但解決了傳統(tǒng)硅電子器件的測(cè)試要求，也解決了氮化鎵和氮化硅等新技術(shù)帶來(lái)的測(cè)試要求，覆蓋了這些產(chǎn)品的性能范圍，包括最高電壓和電流源，高頻低電流測(cè)量等需求。
一套測(cè)試儀，最多可配備 6 個(gè)測(cè)試測(cè)試站
DOT800T 基于多核心架構(gòu)：測(cè)試儀可配備一個(gè)到六個(gè)獨(dú)立且可配置的測(cè)試核心，來(lái)在不同的專門測(cè)試站上執(zhí)行 ISO 測(cè)試、AC 測(cè)試和 DC 測(cè)試，每一個(gè)測(cè)試站都配備有專用獨(dú)立控制器。有了這一套系統(tǒng)，您獲得的將是六臺(tái)強(qiáng)大測(cè)試儀的測(cè)試能力和出色性能。
可根據(jù)具體的要求和操作流程，將測(cè)試儀不同的核心指定用作 AC、DC 或 ISO 測(cè)試站?？稍诂F(xiàn)場(chǎng)對(duì)測(cè)試儀的配置進(jìn)行擴(kuò)展和升級(jí)，滿足不同器件測(cè)試對(duì)測(cè)試儀的要求。
不同的測(cè)試程序可在真正的并行異步模式下進(jìn)行，每個(gè)測(cè)試核心的控制器都能夠管理相應(yīng)的測(cè)試資源、儀器連接和測(cè)試程序執(zhí)行。
DOT800T 配備了一整套最先進(jìn)的專用儀器來(lái)執(zhí)行各種功率半導(dǎo)體測(cè)試，設(shè)計(jì)同于檢測(cè)確保新一代寬帶隙技術(shù)的性能和可靠性，支持高電壓、高電流、高功率和高切換頻率等各種嚴(yán)苛測(cè)試條件。
該測(cè)試儀能夠同時(shí)在測(cè)試中供應(yīng)高電壓和高電流，同時(shí)仍可保證極為出色的電流靈敏度，其內(nèi)置的數(shù)字化儀可確保在漏電和擊穿測(cè)量中實(shí)現(xiàn)最佳的分辨率和精度?？衫?strong>本地設(shè)置存儲(chǔ)來(lái)實(shí)現(xiàn)模塊設(shè)置的更改，也可利用內(nèi)嵌宏來(lái)生成各種斜坡和觸發(fā)，這帶來(lái)了測(cè)試時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)。
可在模塊之間實(shí)現(xiàn)整系統(tǒng)內(nèi)的硬件同步，可在高電壓和高電流模塊上實(shí)現(xiàn)嵌入警報(bào)（例如過(guò)溫、過(guò)流、波動(dòng)、開(kāi)式溫度等），這些都是實(shí)現(xiàn)測(cè)深儀在混合模式下的可靠和安全運(yùn)行的基礎(chǔ)。
雜散電感 <25nH（包含插口）
對(duì)高功率、高頻率期間的動(dòng)態(tài)測(cè)試不僅要求測(cè)試儀器的良好性能，還要求測(cè)試儀的連接布局、插口和接觸器等的設(shè)計(jì)必須謹(jǐn)慎且優(yōu)秀，才能確保在整個(gè)信號(hào)路徑中充分降低雜散電感, 從而最大程度上減小整流期間的電壓超調(diào)問(wèn)題。SPEA 能夠提供完整的測(cè)試解決方案，一步式資源即可覆蓋您測(cè)試功率器件的所有需求。
各接觸單元均由 SPEA 研發(fā)制造，充分保證了易用性、高性能和低雜散電感等優(yōu)點(diǎn)，適用于對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和自動(dòng)封裝的各種器件進(jìn)行環(huán)境溫度下，以及雙溫度或三溫度條件下的測(cè)試。
針對(duì)晶圓 KGD 和 IGBT 模塊，SPEA 也提供有完整的測(cè)試設(shè)備，整合了機(jī)器人自動(dòng)搬運(yùn)處理，適用于直接集成到您的生產(chǎn)線之中。
