深圳市三佛科技有限公司供應330W氮化鎵方案CE65H110DNDI，原裝現(xiàn)貨

Description
The CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium nitride(GaN) FETs are normally-offdevices.

Corenergy GaN FETs offer better efficiencythrough lower gate charge,faster switchingspeeds,and lower dynamic on-resistance,delivering significant advantages over traditionalsilicon (Si) devices.
Corenergyis a leading-edge wide band gapsupplier with world-class innovation .

Application
Adapter
Renewable energy
eTelecom and data-com
Servo motors
Industrial
Automotive

General Features
Easy to drive-compatible with standard gate drivers
Low conduction and switching losses
RoHS compliant and Halogen-free

Benefits
Increased efficiency through fast switching
Increased power density
Reduced system size and weight

CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件。
Corenergy GaN FET通過更低的柵極電荷、更快的開關速度和更低的動態(tài)導通電阻提供了更好的效率，與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比具有顯著的優(yōu)勢。

應用
適配器
可再生能源
電子電信和數(shù)據(jù)通信
伺服電動機

系統(tǒng)描述/System Description 
應?氮化鎵 CE65H110DNDI 設計 20V16.5A 330W 筆電適配器 
 應?拓撲結構為 PFC+LLC
 平均效率可達：94.75% 
 最?效率：95.70%
 保護功能：輸出過壓保護；輸出過流保護；輸??壓保護 ；短路保護
輸出電壓調整率：±5%
 線性電壓調整率：±3%
額定功率：330W
環(huán)境溫度：40℃
外殼尺?：L*W*H/163.2*77.2*30.5mm

售后服務：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術上支持。
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深圳市三佛科技有限公司供應330W氮化鎵方案CE65H110DNDI