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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務(wù)及銷售一體的技術(shù)公司

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芯朋微高壓高低側(cè)柵極電機驅(qū)動芯片-ID5S609

型號： ID5S609

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 ID5S609

--- 產(chǎn)品詳情 ---

芯朋微高壓高低側(cè)柵極電機驅(qū)動芯片- IS5S609

 

 

一、概述

 

ID5S609電機驅(qū)動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下。可用于驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT構(gòu)成的半橋拓撲結(jié)構(gòu)。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號，邏輯輸入電平低至3.3V。具有大電流輸出能力，輸入端具有有效電平邏輯互鎖功能，能夠有效的防止輸出功率管共態(tài)導(dǎo)通。芯片良好的延時匹配功能可以輕松的適用于高頻應(yīng)用場合。

 

二、特征

 

高側(cè)浮動偏移電壓600V

高側(cè)浮動偏移電壓600V輸入信號兼容3.3V和5Vj邏輯電平

輸入信號兼容3.3V和5主播邏輯電平dV/dt抗干擾能力+50V/nsec

DV/DT抗干擾能力+50V/納秒自舉工作的浮地通道

自舉工作的浮地通道芯片工作電壓范圍10V~20V

芯片工作電壓范圍10V~20V高低側(cè)均具有欠壓保護功能

高低側(cè)均具有欠壓保護功能輸出拉灌電流能力400mA/800mA

輸出拉灌電流能力400mA/800mA高低側(cè)通道均延時匹配

高低側(cè)通道均延時匹配死區(qū)時間典型值為I80ns

死區(qū)時間典型值為I80ns

 

 

三、應(yīng)用領(lǐng)域

 

 

中小型功率電機驅(qū)動

 

功率MOSFET或IGBT驅(qū)動

 

半橋功率逆變器

 

全橋功率逆變器

 

任意互補驅(qū)動轉(zhuǎn)換器

 

 

 

四、封裝訂購信息

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

五、典型電路

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

電機驅(qū)動芯片方案應(yīng)用資料及參考手冊請咨詢芯朋微代理商東莞市中銘電子，專業(yè)的FAE提供技術(shù)支持服務(wù)

 

 

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