芯朋微授權代理商大電流半橋電機驅動芯片-ID5S606B
型號:
ID5S606B
一、概述
ID5S606B是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT電機驅動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下。可用于驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT構成的半橋拓撲結構。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3.3V。具有大電流輸出能力,輸入端具有有效電平邏輯互鎖功能,能夠有效的防止輸出功率管共態導通。芯片良好的延時匹配功能可以輕松的適用于高頻應用場合。
二、特性
高側浮動偏移電壓600V
輸入信號兼容3.3V和5V邏輯電平
dV/dt 抗干擾能力±50V/nsec
自舉工作的浮地通道
芯片工作電壓范圍10V~20V
低側具有欠壓保護功能
輸出拉灌電流能力300mA/600mA
Vs負電壓能力-5V
高低側通道均延時匹配
三、應用領域
中小型功率電機驅動
功率MOSFET或IGBT驅動
半橋功率逆變器
全橋功率逆變器
任意互補驅動轉換器
四、封裝/訂購信息
五、典型應用
電機驅動芯片ID5S606B方案應用資料及參考手冊請咨詢芯朋微代理商東莞市中銘電子,專業的FAE提供技術支持服務