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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導體芯片和器件研發、技術方案服務及銷售一體的技術公司

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NSG6000R 650V 單相高低側功率 MOSFET 驅動芯片

型號： NSG6000R

--- 產品參數 ---

  • 型號 NSG6000R

--- 產品詳情 ---

NSG6000R 650V單相高低側功率MOSFET驅動芯片

 

一、概述

NSG6000R是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道，適用于5A以內MOS的直接驅動。NSG6000R采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6000R 其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達600V。NSG6000R采用 SOP8 封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

 

二、產品特性

自舉工作的浮地通道
最高芯片耐壓為+650V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dVS/dt耐受能力可達±50 V/ns
Vs負偏壓能力達-9V
集成VCC、VBS欠壓鎖定電路
-- VCC欠壓鎖定閾值 8.7V/7.7V
-- VBS欠壓鎖定閾值 8.2V/7.3V
內部集成柵電阻，適用于5A以內MOS
防止直通保護
-- 死區時間540ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
符合RoSH標準
SOP8 (S)

 

三、應用

電機控制

空調/洗衣機

通用逆變器

逆變器驅動

 

四、封裝信息

五、簡化示意圖

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