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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • SGN26H180M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:33

    產品型號：SGN26H180M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN26H180M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN26H120M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:26

    產品型號：SGN26H120M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號： SGN26H120M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN26H080M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:19

    產品型號：SGN26H080M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN26H080M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN21H181M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:31

    產品型號：SGN21H181M1H 廠家： Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN21H181M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN21H121M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:25

    產品型號：SGN21H121M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN21H121M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN21H180M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:20

    產品型號：SGN21H180M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號： SGN21H180M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN19H240M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:12

    產品型號：SGN19H240M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號： SGN19H240M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGN19H181M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 19:06

    產品型號：SGN19H181M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGN19H181M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • SGNH240M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-20 18:24

    產品型號：SGNH240M1H 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：SGNH240M1H 名稱：用于基站的功率GaN＞GaN HEMT 產地：日本 封裝：SMT

  • FLM1011-20F X波段 內部匹配 FET2023-12-20 18:16

    產品型號：FLM1011-20F 廠家：Sumitomo Electric Eudyna 型號：FLM1011-20F 名稱：內部匹配高功率GaAs FET 產地：日本 封裝：SMT