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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • SGN26C050MK 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:24

    產品型號:SGN26C050MK 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號: SGN26C050MK 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN26C210I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:19

    產品型號:EGN26C210I2D 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號: EGN26C210I2D 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN26C160I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:11

    產品型號:EGN26C160I2D 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN26C160I2D 名稱: 用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN26C105I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 20:05

    產品型號:EGN26C105I2D 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN26C105I2D 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN26C070MK 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:58

    產品型號:EGN26C070MK 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN26C070MK 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN26C070I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:50

    產品型號:EGN26C070I2D 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN26C070I2D 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • SGN21C050MK 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:42

    產品型號:SGN21C050MK 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGN21C050MK 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN21C320IV 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-23 19:32

    產品型號:EGN21C320IV 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN21C320IV 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN21C210I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-22 16:29

    產品型號:EGN21C210I2D 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN21C210I2D 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • EGN21C160I2D 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-22 16:23

    產品型號:EGN21C160I2D 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:EGN21C160I2D 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT