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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • SGC5259-300A-R C波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:53

    產品型號:SGC5259-300A-R 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGC5259-300A-R 名稱:用于雷達的功率GaN>GaN HEMT>C/X 產地:日本 封裝:SMT
  • SGC5259-50A-R C波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:45

    產品型號:SGC5259-50A-R 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGC5259-50A-R 名稱:用于雷達的功率GaN>GaN HEMT>C/X 產地:日本 封裝:SMT
  • SGK5254-120A-R C波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:38

    產品型號:SGK5254-120A-R 廠家: Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGK5254-120A-R 名稱:用于雷達的功率GaN>GaN HEMT>C/X 產地:日本 封裝:SMT
  • SGK5254-30A-R C波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-21 10:18

    產品型號:SGK5254-30A-R 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGK5254-30A-R 名稱:砷化鎵晶體管 產地:日本 封裝:SMT
  • SGN31E030MK 用于雷達的高壓大功率GaN HEMT驅動器2023-12-21 10:10

    產品型號:SGN31E030MK 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGN31E030MK 名稱:用于雷達的功率GaN>GaN HEMT>驅動器級 產地:日本 封裝:SMT
  • SGNH360M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 10:02

    產品型號:SGNH360M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGNH360M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • SGN36H120M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:56

    產品型號:SGN36H120M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGN36H120M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • SGN36H080M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:50

    產品型號:SGN36H080M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGN36H080M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 名稱:日本 封裝:SMT
  • SGN36H050M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:44

    產品型號:SGN36H050M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGN36H050M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT
  • SGN26H241M1H 高壓 大功率GaN HEMT2023-12-21 09:38

    產品型號:SGN26H241M1H 廠家:Sumitomo Electric Eudyna 型號:SGN26H241M1H 名稱:用于基站的功率GaN>GaN HEMT 產地:日本 封裝:SMT