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      Texas Instruments (TI)

      CSD17576Q5B

      MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

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      CSD17576Q5B 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        100 A
      • 輸入偏置電容@15V
        4.43 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@25A,10V
        2 mΩ
      • 漏源導通電阻
        2 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.8 V
      • 柵極電荷@10V
        68 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        5 ns
      • 功率耗散
        125 W, 3.1 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        23 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        3 ns
      • 上升時間
        16 ns

      Physical

      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SON-8

      Compliance

      • 無鉛
        Contains Lead

      CSD17576Q5B EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      CSD17576Q5B 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
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