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      Texas Instruments (TI)

      CSD17506Q5A

      MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

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      CSD17506Q5A 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        1.3 V
      • 閘/源截止電壓
        1.3 V
      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        100 A
      • 輸入偏置電容
        1.65 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        3.2 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@10V,20A
        4 mΩ
      • 漏源導通電阻
        4 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.8 V
      • 柵極電荷@4.5V
        11 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        7.5 ns
      • 反向傳輸電容
        50 pF
      • 功率耗散
        3.2 W
      • 擊穿電壓
        30 V
      • 關閉延遲時間
        13 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        5.3 ns
      • 上升時間
        13 ns

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        TDSON-8(6x5)

      Compliance

      • 無鉛
        Contains Lead
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.1 mm
      • 長度
        6.1 mm
      • 寬度
        5 mm

      CSD17506Q5A 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • CSD17506Q5A-TI.pdf
        1年前
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