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Infineon

IKW40N120H3FKSA1

IGBT 1200V 80A 483W TO247-3

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IKW40N120H3FKSA1 器件參數

Function

  • 集電極電流
    80 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    2.4 V
  • 集電極-發射極電壓
    400 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    1200 V
  • 類型
    溝槽場截止
  • 柵極電荷
    185 nC
  • 晶體管類型
    Trench Field Stop
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
  • 反向恢復時間
    355 ns
  • 功率耗散
    483 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-247-3-1

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    yes

IKW40N120H3FKSA1 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IKW40N120H3FKSA1 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

IKW40N120H3FKSA1 圖片

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