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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTRA362802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： GTRA362802FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值 P3dB 180 W 典型值
  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 3400-3600兆赫
  • P3dB 時的輸出功 280 W
  • 效率 60%
  • 增益 15 分貝

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTRA362802FC 是一款 280 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設(shè)計用于多標(biāo)準蜂窩功率放大器應(yīng)用。它具有輸入匹配功能；高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。
 

GTRA362802FC-V1

 

 

特征
輸入匹配
不對稱 Doherty 設(shè)計：主 P3dB 120 W Typ；峰值 P3dB 180 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能；3400-3600兆赫；48 伏；綜合產(chǎn)出
P3dB 時的輸出功率 280 W
效率 60%
增益 15 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @48 V；44 W (WCDMA) 輸出功率
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準

 

應(yīng)用
多標(biāo)準蜂窩功率放大器

 

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