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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CGHV27030S 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV27030S

--- 產品參數 ---

  • 操作頻率 2.5 – 2.7 GHz
  • 典型輸出功率 30 W
  • 增益 5 W PAVE 時 20 dB
  • PAVE -34 dBc ACLR，5 W
  • 5 W PAVE 時 30%
  • 應用高度 APD 和 DPD 校正

--- 產品詳情 ---

CGHV27030S 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，提供高效率；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S GaN HEMT 器件非常適合頻率為 700-960 MHz 的電信應用；1200-1400 兆赫；1800-2200兆赫；2500-2700 兆赫；在 50 V 和 28 V 操作下為 3300-3700 MHz。CGHV27030S 也是工作在 20-2500 MHz 的戰術通信應用的理想選擇；包括陸地移動無線電。其他應用包括 L 波段雷達和 S 波段雷達。CGHV27030S 可以在 50 V 或 28 V 電壓軌下運行。晶體管尺寸為 3mm x 4mm；表面貼裝; 雙扁平無引線 (DFN) 封裝。

CGHV27030S

 

特征
2.5 – 2.7 GHz 操作
30 W 典型輸出功率
5 W PAVE 時 20 dB 增益
-34 dBc ACLR，5 W PAVE
5 W PAVE 時效率為 30%
可應用高度 APD 和 DPD 校正


應用
蜂窩基礎設施
戰術通訊
L波段雷達
S波段雷達


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