EPM3-1200-0017D-R01是1200 V 汽車級裸片碳化硅 MOSFET – Gen 3。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化。提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對不間斷電源 (UPS) 等大功率應(yīng)用進行了優(yōu)化；電機驅(qū)動器；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多。基于最新的第三代技術(shù)；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項，使設(shè)計人員能夠為其應(yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設(shè)計，以提高硬開關(guān)性能。軟開關(guān)應(yīng)用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)更高效率的強大組合。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸；重量; 設(shè)計復(fù)雜性；大多數(shù)大功率應(yīng)用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設(shè)計人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
好處
以更低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
實現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
易于并行并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動設(shè)計兼容
特征
汽車合格
高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) 過溫穩(wěn)定性
抗閉鎖
驅(qū)動器的高柵極電阻
應(yīng)用
汽車傳動系統(tǒng)
電機驅(qū)動
固態(tài)斷路器
諧振拓?fù)?/p>
阻斷電壓:1200V
電阻：17hR
輸出電容：220pF
反向恢復(fù)電荷：1100nC
反向恢復(fù)時間 ：52納秒
最高結(jié)溫：175°C
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