--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 阻斷電壓 900V
- 電阻 30hR
- 柵極電荷總數(shù) 87nC
- 輸出電容 137pF
- 反向恢復電荷 545nC
- 反向恢復時間 62納秒
- 最高結(jié)溫 175°C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CPM3-0900-0030A是900 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 900 V 碳化硅 MOSFET,用于高性能電力電子設備。通過引入最先進的 SiC MOSFET 技術(shù)來擴展其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位;業(yè)界首個 900 V MOSFET 平臺。針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化;包括可再生能源逆變器;電動汽車充電系統(tǒng);三相工業(yè)電源;新的 900V 平臺使體積更小;打火機; 和更高效率的下一代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),其成本與基于硅的解決方案相當。

好處
高壓;高溫; 和高耐濕性使太陽能轉(zhuǎn)換和非車載充電的真正戶外應用成為可能
通過顯著降低開關(guān)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸;重量; 和冷卻要求
提高功率密度
易于并行并與標準柵極驅(qū)動設計兼容
特征
在整個工作溫度范圍內(nèi)至少 900V Vbr
高阻斷電壓和低 RDS(on)
具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
具有低輸出電容的高速開關(guān)
應用
太陽能逆變器
電機驅(qū)動
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
固態(tài)斷路器
非車載充電器
阻斷電壓:900V
電阻:30hR
柵極電荷總數(shù):87nC
輸出電容:137pF
反向恢復電荷:545nC
反向恢復時間 :62納秒
最高結(jié)溫:175°C
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