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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

7.3k 內(nèi)容數(shù) 90w+ 瀏覽量 248 粉絲

C3D02060E分立碳化硅肖特基二極管

型號(hào): C3D02060E

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 600V
  • 浪涌峰值反向電壓 600V
  • 直流阻斷電壓 600V
  • 二極管dV/dt耐用 200V/ns
  • 功耗 39.5W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to+175?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3D02060E為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng);開關(guān)電源;太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng);電動(dòng)汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多。基于第三代技術(shù);各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樗麄兊膽?yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對(duì),為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強(qiáng)大組合。

C3D02060E

優(yōu)點(diǎn)
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關(guān)損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件


特征
? 600 伏肖特基整流器
? 針對(duì) PFC 升壓二極管應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
? 零反向恢復(fù)電流
? 零正向恢復(fù)電壓
? 高頻操作
? 與溫度無(wú)關(guān)的開關(guān)行為
? 極快的切換
? VF 上的正溫度系數(shù)


應(yīng)用
? 開關(guān)模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級(jí)中的升壓二極管
? 逆變器級(jí)中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉(zhuǎn)換器

 

漏源電壓:600V
浪涌峰值反向電壓:600V
直流阻斷電壓:600V
功耗:39.5W
二極管 dV/dt 耐用性:200V/ns
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度:-55to+175?C


相關(guān)型號(hào)
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
CSD01060A C3D10060G
C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E

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