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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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E3M0120090J碳化硅MOSFET

型號： E3M0120090J

--- 產品參數 ---

  • 漏源電壓: 900V
  • 柵極 -源極電壓靜態 -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓動態 -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 50A
  • 功耗 83W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產品詳情 ---

E3M0120090J通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位；業內首個汽車認證；業界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固技術；提供業界最低的開關損耗和最高的品質因數。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器和高壓 DC/DC 轉換器進行了優化，并在 Wolfspeed 的6.6kW 雙向車載充電器參考設計中采用。

E3M0120090J


好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 系統效率高
? 提高功率密度
? 提高系統開關頻率

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
? 符合汽車標準 (AEC-Q101) 和 PPAP

應用
? 電動汽車充電
? DC/DC 轉換器
? 開關電源
? UPS
? 太陽能光伏逆變器

相關型號
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