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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CGHV1F006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV1F006S

--- 產品參數 ---

  • 頻率 高達 15 GHz 的操作
  • 輸出功率 8 W 典型輸出功率
  • 6.0 GHz增益 6.0 GHz 時 17 dB 增益;
  • 9.0 GHz增益 9.0 GHz 時 15 dB 增益
  • 校正 可應用高度 APD 和 DPD 校正

--- 產品詳情 ---

CGHV1F006 是無與倫比的；專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L；小號；C; X 和 Ku 波段放大器應用。數據表規格基于 C 波段 (5.5 – 6.5-GHz) 放大器。其他應用電路可用于 5.8 GHz – 7.2 GHz 的 C 波段和 7.9 – 8.4 GHz 和 8.5 – 9.6 GHz 的 X 波段。CGHV1F006 在 40 伏軌道電路上運行，封裝在 3 毫米 x 4 毫米；表面貼裝; 雙扁平無引線 (DFN) 封裝。在降低功率下；晶體管可在 40 V 以下至 20 V VDD 下工作；保持高增益和效率。

CGHV1F006S


 

 

特征
高達 15 GHz 的操作
8 W 典型輸出功率
6.0 GHz 時 17 dB 增益
9.0 GHz 時 15 dB 增益
5.8 – 7.2 GHz 的應用電路；7.9 – 8.4 GHz；和 8.5 – 9.6 GHz。
可應用高度 APD 和 DPD 校正

 

 

應用
大號; 小號；C; X 和 Ku 波段放大器


 

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