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HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術的有源微型x2倍頻器,提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm(典型值),單電源電壓為+5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面,對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc(典型值)。
100 kHz偏置時的低加性SSB相位噪聲為-142 dBc/Hz,有助于用戶保持良好的系統噪聲性能。 HMC369LP3(E)非常適合在LO倍頻器鏈路中使用,與傳統方法相比可以減少器件數量。 HMC369LP3(E)還用于OC-192時鐘恢復。 輸入端應用10 GBPS數據可在輸出端產生-7 dBm時鐘音,雜散信號抑制為25 dB。
應用